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vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司，该公司生产的红外探测器，分制冷型（低温工作）和非制冷型（室温工作）两大类，其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000标准质量体系，被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。
产品时间：2016-08-25
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vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
PEM系列（2-12μm红外光电磁探测器、光平直入浸式）
特点：室温下工作；无需偏置；光谱范围（2-12µm）；D*(10.6 µm)达到2*107cmHz1/2/W；响应时间≤1ns；无闪动噪声；从直流到高频工作；重量轻，耐用可靠；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到*的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得，微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音，在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供如单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PEM－10.6 | PEMI－10.6 |
*特性波长λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5E7 ≥4E6 | ≥8E7 ≥2E7 |
电阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
响应时间τ | ns | ≤1 | ≤1 |
电阻 | Ω | 40－100 | 40－100 |
光学面积（长×宽） 或直径(圆形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F/# | deg | 60,0.5 38,1.65 | |
