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vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）

vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司，该公司生产的红外探测器，分制冷型（低温工作）和非制冷型（室温工作）两大类，其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000标准质量体系，被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。

产品时间：2016-08-25

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产品介绍

vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）

非制冷光电探测器

1、PV系列（2-12μm红外光电探测器）

特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；低成本；可根据客户要求设计。

描述：PV-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是红外光电探测器，这些装置在2～11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PV-3	PV-4	PV-5	PV-6	PV-8
特性波长λop*	μm	3	4	5	6	8
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥8?10⁹ ≥5?10⁹	≥1.5?10⁹ ≥1?10⁹	≥8?10⁸ ≥5?10⁸	≥4?10⁸ ≥2?10⁸	≥8?10⁷ ≥4?10⁷
响应度	A/W	≥1.2	≥1.2	≥1.2	≥1	≥0.5
响应时间τ	ns	≤15 **	≤15**	≤15**	≤12**	≤7**
并联电阻-光学面积	Ω·cm 2	≥0.05	≥0.01	≥0.003	≥0.001	≥0.0002
光学面积（长 × 宽）或直径 (园形)	mm x mm mm	0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3
工作温度	K	300
视场, F#	deg	60, 0.5

2、PVI系列（2-12μm红外光电探测器、光侵入式）

描述：PVI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列探测器是红外光电探测器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PVI-3	PVI-4	PVI-5	PVI-6	PVI-8
特性波长λop*	μm	3	4	5	6	8
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥2E10 ≥1.5E10	≥6E9 ≥4E9	≥3E9 ≥2E9	≥2E9 ≥1E9	≥3E9 ≥1.5E8
响应度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1
响应时间τ	ns	≤15**	≤15**	≤15**	≤12**	≤7**
并联电阻-光学面积	Ω·cm 2	≥5	≥1	≥0.3	≥0.1	≥0.02
光学面积（长×宽）或直径 (圆形)	mm x mm mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3
工作温度	K	300
视场, F#	deg	35, 1.65

3、PVM系列（2-12μm红外光电探测器、倍增结构）

描述：PVM-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器，这些装置专门用于大范围内的探测，工作在8～12µm的范围。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PVM-8	PVM-10.6
特性波长λop*	μm	8	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥1.2E8 ≥6E7	≥3E7 ≥1E7
响应度（at λop*）	V·mm/W	≥0.6	≥0.1
响应时间τ	ns	≤7	≤1
电阻	Ω	15-300	10-150
光学面积(矩形长×宽)	mm x mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2
工作温度	K	300
视场, F#	Deg	60, 0.5

4、PVMI系列（2-12μm红外光电探测器、倍增结构、光侵入式）

特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件*兼容；动态范围宽；大面积装置；低成本；可根据客户要求设计。

描述：PVMI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置工作在8～12微米的范围内特别用于大范围探测。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器（不带视窗）封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PVMI-8	PVMI-10.6
特性波长λop*	μm	8	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥6?10⁸ ≥3?10⁸	≥2?10⁸ ≥1?10⁸
响应度–at λop	V×mm/W	≥3	≥0.5
响应时间τ	ns	≤7	≤1
电阻	Ω	15-300	10-150
光学面积（长 × 宽）	mm× mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作温度	K	300
视场, F#	deg	35, 1.65

5、PC系列（2-12μm红外光电导探测器）

特点：室温下工作；D*(10.6 µm)达到6*10⁷cmHz^1/2/W；响应时间≤1ns；与快速逻辑元器件*兼容；使用方便；低成本；及时交货；可根据客户要求设计。

描述：PC-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列是高速、室温工作的红外光电导探测器。这些装置在2～12微米范围内的任意值可以达到*的性能。。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe（优化掺杂面和改进的表面处理）来获得。用小型轻巧耐用的包装封装的。每个探测器都提供性能参数。探测器适用于外差探测，高频辐射探测要求响应时间短并与快速元器件兼容，以及能够与快速电子学匹配的高频辐射。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PC-4	PC-5	PC-6	PC-9	PC-10.6
特性波λop*	µm	4	5	6	9	10.6
探测率: at ?λpeak,20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>4E9 >2E9	>2E9 >1E9	>6E8 >3E8	>6E9 >2E7	>1E7 >4E6
响应度-@λop	Vmm/W	>100	>40	>6	>0.4	>0.05
响应时间τ	ns	<1000	<500	<200	<2	<1
1/f噪声拐点频率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20
有效面积(长×宽)	mm × mm	0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4
偏置电流-宽度比*	mA/mm	1－10	1－10	1－10	1－10	1－20
薄层电阻系数	Ω/sqr	300-1000	200-400	100-300	50-150	40-120
视场, F#*	deg	60, 0.5

6、PCI系列（2-12μm红外光电导探测器、光入浸式）

特点：室温下工作；D*(10.6 µm)达到3*10⁸cmHz^1/2/W；响应时间≤1ns；动态范围宽；与快速逻辑元器件*兼容；使用方便；低成本；及时交货；可根据客户要求设计。

描述：PCI-n（n表示*特性波长，单位是微米）系列的电探测器是非冷却红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～12µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性通过开发的变隙（HgCdZnTe）半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

详细规格：

特性（@ 20ºC）	单位	PCI-4	PCI-5	PCI-6	PCI-9	PCI-10.6
*特性波长λop	µm	4	5	6	9	10.6
探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>1E10 >6E9	>7E9 >4E9	>2E9 >1E9	>3E8 >1E8	>2E8 >5E7
响应度-@λop	Vmm/W	>600	>300	>60	>3	>2
响应时间τ	ns	<1000	<500	<200	<2	<1
1/f噪声拐点频率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20
有效面积(长×宽)	mm×mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2
偏置电流-宽度比	mA /mm	1－2	2－4	3－10	3－15	5－20
薄层电阻系数	Ω/sqr	300-1000	200-400	100-300	50-150	40-120
视场, F#	deg	35,1.65

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